TP65H050G4WS数据手册Renesas中文资料规格书

描述 Description

TP65H050G4WS 650V 50mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 GenIV 平台构建的常闭器件。 它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。

瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。

TP65H050G4WS 采用行业标准的 3 引脚 TO-247 封装，具有通用源极封装配置。

特性 Features

• 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
• Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
• 坚固的设计，定义
• 固有寿命测试
• 宽栅极安全裕度
• 瞬态过压能力

• 增强的浪涌电流能力
• 非常低的 QRR
• 减少分频损耗
• 支持 AC-DC 无桥图腾柱 PFC 设计
• 提高功率密度
• 减小系统尺寸和重量
• 总体降低系统成本

• 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
• 使用常用栅极驱动器易于驱动
• GSD 引脚布局改善了高速设计
• 符合 RoHS 标准和无卤素包装

应用 Application

• 数据通信
• 博大实业
• 光伏逆变器
• 伺服电机