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TP65H035G4WS规格书详情
描述 Description
TP65H035G4WS 650V 35mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 GenIV 平台构建的常闭器件。 它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H035G4WS 采用行业标准的 3 引脚 TO-247 封装，具有通用源极封装配置。
特性 Features
• 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
• Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
• 坚固的设计，定义
• 固有寿命测试
• 宽栅极安全裕度
• 瞬态过压能力
• 增强的浪涌电流能力
• 非常低的 QRR
• 减少分频损耗
• 支持 AC-DC 无桥图腾柱 PFC 设计
• 提高功率密度
• 减小系统尺寸和重量
• 总体降低系统成本
• 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
• 使用常用的栅极驱动器轻松驱动
• GSD 引脚布局改善了高速设计
• 符合 RoHS 标准和无卤素包装
应用 Application
• 数据通信
• 博大实业
• 光伏逆变器
• 伺服电机
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TRANSPHORM |
24+ |
NA/ |
3300 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
HARRIS |
25+ |
SOP |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
NS |
24+ |
DIP-16 |
37500 |
原装正品现货,价格有优势! |
询价 | ||
MOT |
24+ |
DIP |
3500 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
HARRIS |
1998 |
SOP |
472 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
Transphorm |
21+ |
TO-247-3 |
183 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!! |
询价 | ||
HARRIS |
24+ |
SOP |
2500 |
自己现货 |
询价 | ||
TPPRO |
23+ |
QFP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Transphorm |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
TRANSPHORM |
19+ |
TO247 |
1100 |
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询价 |
