SWP3710说明书PDF资料供应价格杜因特第4页-114ic电子网

首页 >SWP3710>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IRF3710PBF	文件：1.6614 Mbytes Page：7 Pages	57A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF3710S	文件：189.08 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3710S	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710SPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=23m廓,ID=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710STRLPBF	文件：297.54 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710STRRPBF	文件：297.54 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710Z	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710Z	文件：339.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3710Z	文件：270.17 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710ZGPBF	文件：293.92 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=100V RDS(on)=18mΩ ID=59A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimproved	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710ZL	文件：301.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3710ZL	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710ZL	文件：270.17 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710ZLPBF	文件：323.95 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710ZPBF	文件：323.95 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710ZPBF	文件：387.76 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710ZS	文件：189.74 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3710ZS	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710ZS	文件：270.17 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3710ZSPBF	文件：323.95 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

<<<1 2 345 6 7 8 >>>

详细参数

型号：
SWP3710
制造商：
SEMIPOWER
制造商全称：
SEMIPOWER
功能描述：
N-channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市维尔达电子有限公司	SWP3710	vishay	2023+	TO-220	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SWP3N80A	SAMWIN	24+25+/26+27+	TO-220-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	SWP-40350302-22-S1	Sage Millmeter	23+	模块	400		询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	SWP47N60C3			最新	2000	原装正品现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SWP47N60C3	INFINEON/英飞凌		TO-247	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	SWP4N60	芯源科技	1746+	TO220	8862	深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	SWP4N60	POWER	2020+	TO-126	100000	原装正品现货	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SWP4N60	芯源科技	22+	TO-220	8880	原装认准芯泽盛世！	询价
深圳市英瑞芯科技有限公司	SWP4N60		22+	TO-220	8900	英瑞芯只做原装正品!!!	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	SWP4N60	芯源科技	2122+	TO-220	36980	只做原装,支持样品,假一罚十	询价

更多SWP3710供应商更新时间2024-5-15 13:30:00

详细参数

相关规格书

相关库存