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IRF3710ZS	文件：270.17 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710ZS	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710ZS	文件：189.74 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3710ZSPBF	文件：323.95 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr	IRF International Rectifier	IRF
IRFI3710	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFN3710	文件：132.03 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.028ohm,Id=45A) 100Volt,0.028Ω,HEXFET Generation5HEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignforwhichHEXFETsarewellknown,prov	IRF International Rectifier	IRF
IRFN3710	文件：46.66 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP3710	文件：185.43 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025W,Id=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3710	文件：334.79 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FullyAvalancheRated •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤25mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP3710PBF	文件：233.93 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.025廓,ID=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF3710ZS
制造商：
International Rectifier
功能描述：
59 A, 100 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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