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IRF3710ZL

AUTOMOTIVE MOSFET

Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp

文件:270.17 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF3710ZL

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:301.06 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF3710ZL

Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance

文件:4.63191 Mbytes 页数:12 Pages

KERSEMI

IRF3710ZLPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impr

文件:323.95 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF3710ZL

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    I2PAK (TO-262)

  • VDS max:

    100.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    18.0mΩ

  • RDS (on) max:

    18.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TC=100°C) max:

    42.0A

  • ID  max:

    42.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    59.0A

  • Ptot max:

    160.0W

  • QG :

    82.0nC 

  • Mounting :

    THT

  • Qgd :

    27.0nC 

  • Tj max:

    175.0°C

  • RthJC max:

    0.92K/W

  • VGS max:

    20.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
22+
TO-262
9450
原装正品,实单请联系
询价
IR
24+
TO-262
8866
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TO-262
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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22+
TO-262
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
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2023+
TO-262
50000
原装现货
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23+
TO-262
7300
专注配单,只做原装进口现货
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23+
TO-262
7000
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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原厂原封装
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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
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International Rectifier
2022+
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全新原装 货期两周
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更多IRF3710ZL供应商 更新时间2025-12-5 16:26:00