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SWB068R08ET	文件：859.71 Kbytes Page：6 Pages	Marking：SW068R08ET；Package：TO-263；N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features  Highruggedness  LowRDS(ON)(Typ7.1mΩ)@VGS=10V  LowGateCharge(Typ59nC)  Improveddv/dtCapability  100AvalancheTested  Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtec	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD065R68E7T	文件：689.14 Kbytes Page：6 Pages	Marking：SW065R68E7T；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ6.3mΩ)@VGS=10V LowGateCharge(Typ75nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtechnol	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD4N70L	文件：1.05236 Mbytes Page：7 Pages	Marking：SW4N70L；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ0.8Ω)@VGS=10V LowGateCharge(Typ18nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:LED,Charge,Adaptor GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedsuperjunctiontechnologyofSAMWIN. Thistechno	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD7N65DA	文件：923.82 Kbytes Page：7 Pages	Marking：SW7N65DA；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ1.4Ω)@VGS=10V LowGateCharge(Typ25nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:LED,Charge,PCPower	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWF13N65D	文件：824.73 Kbytes Page：6 Pages	Marking：SW13N65D；Package：TO-220F；N-channel Enhanced mode TO-220FMOSFET Features  Highruggedness  LowRDS(ON)(Typ0.6Ω)@VGS=10V  LowGateCharge(Typ54nC)  Improveddv/dtCapability  100AvalancheTested  Application:LED,Charger,PCPower	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWH160R02VT	文件：760.7 Kbytes Page：6 Pages	Marking：SW160R02V；Package：DFN33；N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET Features  Highruggedness  LowRDS(ON)(Typ12.3mΩ)@VGS=2.5V(Typ9.4mΩ)@VGS=4.5V  LowGateCharge(Typ15.4nC)  Improveddv/dtCapability  100AvalancheTested  Application:DC-DCConverter,Inverter,SynchronousRectification GeneralDescription ThispowerMOSFETisproduced	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWJ7N65DA	文件：923.82 Kbytes Page：7 Pages	Marking：SW7N65DA；Package：TO-262N；N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ1.4Ω)@VGS=10V LowGateCharge(Typ25nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:LED,Charge,PCPower	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWN4N70L	文件：1.05236 Mbytes Page：7 Pages	Marking：SW4N70L；Package：TO-251N；N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ0.8Ω)@VGS=10V LowGateCharge(Typ18nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:LED,Charge,Adaptor GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedsuperjunctiontechnologyofSAMWIN. Thistechno	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWN7N65DA	文件：923.82 Kbytes Page：7 Pages	Marking：SW7N65DA；Package：TO-251N；N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ1.4Ω)@VGS=10V LowGateCharge(Typ25nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:LED,Charge,PCPower	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWP055R06E7T	文件：583.56 Kbytes Page：6 Pages	Marking：SW055R06E7T；Package：TO-220；N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features ⚫Highruggedness ⚫LowRDS(ON)(Typ5.2mΩ)@VGS=10V ⚫LowGateCharge(Typ94nC) ⚫Improveddv/dtCapability ⚫100AvalancheTested ⚫Application:SynchronousRectification, LiBatteryProtectBoard,Inverter	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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晶体管资料

型号：
SWT1032
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
封装形式：
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CG110B,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.35

详细参数

型号：
SW
制造商：
SUPERSWITCH
功能描述：
CONNECTION UNIT FLAT SS FUSED
功能描述：
CONNECTION UNIT, FLAT, SS, FUSED

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更多SW供应商更新时间2025-5-8 16:47:00

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