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Marking：SW055R68E7T；Package：TO-263；N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ5.6mΩ)@VGS=10V LowGateCharge(Typ94nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER | ||
Marking：SW055R68E7T；Package：TO-220；N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features Highruggedness LowRDS(ON)(Typ5.6mΩ)@VGS=10V LowGateCharge(Typ94nC) Improveddv/dtCapability 100AvalancheTested Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER |
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