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深圳市创盛芯科技有限公司

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BSS138WH6327

INFINEON/英飞凌22+

9000

SOT-323

原装现货假一赔十

深圳市航润创能电子集团有限公司

4年 留言
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BSS138W

FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA

120000

21+

只做原装,假一罚十

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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BSS138W

ON Semi/安森美SOT323

13800

2022+

1+
:¥$0.12

只做原装进口 免费送样

深圳市坤融电子科技有限公司

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BSS138W

INFINEON/英飞凌SOT-323

350

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳良洲科技有限公司

2年 留言
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BSS138W

ONNA

3000

两年内

深圳市高捷芯城科技有限公司

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BSS138W

ON/安森美SOT323

14000

2022+

安森美正品现货直销 有优势

深圳市纳睿斯电子科技有限公司

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BSS138W

INFINEON

20000

23+

原装现货,可追溯原厂渠道

深圳中芯器材有限公司

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BSS138W

PANJIT原厂封装

3500

22+

特价 25条/百分之百原装现货

双佳兴电子(深圳)有限公司

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BSS138W

SILIKRONSOT-323

30000

23+

原装正品

深圳市盛昌达电子有限公司

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BSS138W

INFINEONNA

15000

22+

原装现货正品企业

深圳市科恒伟业电子有限公司

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INFSOT323

7500

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市天卓伟业电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-323

95000

22+

专业销售电子元器件20年,只售原装

上海世强芯半导体有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

7730

21+

上海代理 原厂原装不涨价

深圳市跃创芯科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-323-3

60000

21+

绝对原装正品现货,假一罚十

深圳市湘达电子科技有限公司

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INFSOT323

190

2022+

只做进口原装正品现货,开13%增值税票!

深圳市航宇科工半导体有限公司

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DIODES/美台SOT323

600000

22+

航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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DIODES/美台SOT-323

6850

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市天芯威科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT-323

25900

23+

新到现货,只有原装

深圳市英博尔电子有限公司

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INFINEONSOT-323

16500

2年内

英博尔原装优质现货订货渠道商

深圳市航润创能电子集团有限公司

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DIODES/美台SOT-323-3

46459

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BSS138W-7-F价格

BSS138W-7-F价格:¥0.1533品牌:Diodes

生产厂家品牌为Diodes的BSS138W-7-F多少钱,想知道BSS138W-7-F价格是多少?参考价:¥0.1533。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSS138W-7-F批发价格及采购报价,BSS138W-7-F销售排行榜及行情走势,BSS138W-7-F报价。

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深圳德田科技电子元器件一站式配套服务,可开税票可提供样品,因产品过多没有一一上传,如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询我们的工作人员电话:18680328178QQ:229754250

BSS138W深圳市欧立现代科技有限公司

★★★原装现货★特价批发★★★

BSS138W-7-F中文资料Alldatasheet PDF

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BSS138W功能描述:MOSFET 50V N-CH Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS138W E6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSS138W E6433功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSS138W H6327功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS138W L6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.028A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS138W L6433功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS138W-7功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS138W7F制造商:Diodes Incorporated

BSS138W-7-F功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS138WE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R