| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌SOT323 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT323 |
19048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT323 |
23316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
350 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳中芯器材有限公司12年
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PANJIT原厂封装 |
3500 |
22+ |
特价 25条/百分之百原装现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
120000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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ON(安森美)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
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20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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DIODES/美台SOT-323 |
159855 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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161378 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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INFSOT323@ |
6800 |
最新 |
全新原装公司现货低价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFSOT323 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT323 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT323 |
17048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT323 |
21316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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DIODESSOT323 |
4722 |
16+ |
原装正品供应B |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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DIODES/美台SOT323 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌SOT323 |
6306 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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DIODESSOT-323 |
9986 |
20+ |
BSS138W采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSS138W图片
BSS138W-7-F价格
BSS138W-7-F价格：￥0.1533品牌：Diodes
生产厂家品牌为Diodes的BSS138W-7-F多少钱，想知道BSS138W-7-F价格是多少？参考价：￥0.1533。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSS138W-7-F批发价格及采购报价，BSS138W-7-F销售排行榜及行情走势，BSS138W-7-F报价。
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BSS138W-7-F
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BSS138W深圳市欧立现代科技有限公司
★★★原装现货★特价批发★★★
BSS138W-7中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS138W功能描述:MOSFET 50V N-CH Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS138W E6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS138W E6433功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS138W H6327功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS138W L6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.028A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS138W L6433功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS138W-7功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS138W7F制造商:Diodes Incorporated
BSS138W-7-F功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS138WE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R
