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SVD3205T	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	Marking：SVD3205T；Package：TO-220-3L；110A, 55V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

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SVD3205T

文件：248.07 Kbytes

Page：8 Pages

Marking：SVD3205T；Package：TO-220-3L；110A, 55V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SILAN

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