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SVF4N90D	文件：294.65 Kbytes Page：10 Pages	型号：SVF4N90DTR；Package：TO-252-2L；4A, 900V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N90F/MJ/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance 文件：294.65 Kbytes 页数：10 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVF4N90D	文件：294.66 Kbytes Page：10 Pages	型号：SVF4N90DTR；Package：TO-252-2L；4A, 900V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N90F/MJ/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance 文件：294.66 Kbytes 页数：10 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
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