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SVD8N60F	文件：474.71 Kbytes Page：7 Pages	8A, 600V NCHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guarding ring terminal have been especially tailor 文件：474.71 Kbytes 页数：7 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVD8N60T	文件：474.71 Kbytes Page：7 Pages	8A, 600V NCHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guarding ring terminal have been especially tailor 文件：474.71 Kbytes 页数：7 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVD9Z24NT	文件：247.56 Kbytes Page：7 Pages	丝印：SVD9Z24N；Package：TO-220-3L；-12A, -55V P-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD9Z24NT is a P-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan planar VDMOS process. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, an 文件：247.56 Kbytes 页数：7 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVDZ24NDTR	文件：258.17 Kbytes Page：7 Pages	丝印：SVDZ24ND；Package：TO-252-2L；17A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVDZ24NT is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan new planar VDMOS process. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide s 文件：258.17 Kbytes 页数：7 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVDZ24NT	文件：258.17 Kbytes Page：7 Pages	丝印：SVDZ24NT；Package：TO-220-3L；17A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVDZ24NT is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan new planar VDMOS process. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide s 文件：258.17 Kbytes 页数：7 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVD102	文件：71.15 Kbytes Page：2 Pages	X Band VCO, PLO 文件：71.15 Kbytes 页数：2 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SVD10N65T	文件：1.10914 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10914 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SVD12N65T	文件：1.10862 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10862 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SVD13N50T	文件：1.03493 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03493 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SVD1404T	文件：1.59029 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.59029 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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技术参数

Polarity：
N+P
Vdss (V)：
55
Id (A)Tc=25℃：
17
Vgs (th) (V)：
2.0~4.0
Rds(on) @10V typ (mΩ)：
45.00
Rds (on) @10Vmax (mΩ)：
70.00
Qg@10Vtyp (nC)：
11.00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	SVD12N65	SILAN	12+	TO-220	5000	原装现货价格有优势量多可发货	询价
深圳市荣泽信电子科技有限公司	SVD12N65F	士兰微	23+	TO-220F	3000	全新原装的现货	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	SVD7N65AF	士兰微	24+	TO-220F	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	SVD1N60M	Silan	1706+	TO251	9100	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	SVD10N65	士兰微	25+23+	TO-220	42022	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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