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SVDZ24NT

丝印:SVDZ24NT;Package:TO-220-3L;17A, 55V N-CHANNEL MOSFET

GENERAL DESCRIPTION SVDZ24NT is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan new planar VDMOS process. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide s

文件:258.17 Kbytes 页数:7 Pages

SILAN

士兰微

SVDZ24NT

Planar LVMOS

Silan

士兰微

SVF10N60F

TO-220F

SILAN士兰

上传:深圳庞田科技有限公司

SILAN士兰

SVF10N60F

TO-220F

士兰微

SVF10N60K

TO-262-3L

士兰微

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    55

  • Id (A)Tc=25℃:

    12

  • Vgs (th) (V):

    2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ):

    45

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ):

    70

  • Qg@10Vtyp (nC):

    10.5

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更多SVDZ24NT供应商 更新时间2025-12-1 15:01:00