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STU15N20	文件：1.76956 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.76956 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU16L01	文件：2.85426 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：2.85426 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU16N65M5	文件：316.34 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：316.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STU1HN60K3	文件：1.4472 Mbytes Page：19 Pages	丝印：1HN60K3；Package：IPAK；N-channel 600 V, 6.7 廓 typ., 1.2 A SuperMESH3??Power MOSFET in DPAK and IPAK packages 文件：1.4472 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STU2030PLS	文件：913.6 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：913.6 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU20L01	文件：881.44 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：881.44 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU20L01A	文件：1.5627 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.5627 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU20N03L	文件：914.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：914.16 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU20N15	文件：901.27 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：901.27 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU2240NL	文件：1.07309 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.07309 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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技术参数

VRRM(V)：
700
IFSM：
8
VF(V)：
1.5
VF_IF(A)：
1
IR(uA)：
0.2
IR_VR(V)：
650
Trr(ns)：
60
Tj：
-55℃-150℃
Package Outline：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
君宇国际实业有限公司	STU16N60M2	ST	1524+	IPAK	10000	原装正品	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	STU6N65K3		24+	TO-251	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
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