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STU303S	文件：913.49 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：913.49 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU309D	文件：1.21974 Mbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.21974 Mbytes 页数：13 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU309DH	文件：1.21962 Mbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.21962 Mbytes 页数：13 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU30N10	文件：139.31 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：139.31 Kbytes 页数：10 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STU30N15	文件：1.45044 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.45044 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU310DH	文件：1.21953 Mbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.21953 Mbytes 页数：13 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU312D	文件：1.2193 Mbytes Page：13 Pages	N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.2193 Mbytes 页数：13 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU326S	文件：887.03 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：887.03 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU36L01A	文件：1.07351 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.07351 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU3LN62K3	文件：977.22 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：977.22 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

VRRM(V)：
700
IFSM：
8
VF(V)：
1.5
VF_IF(A)：
1
IR(uA)：
0.2
IR_VR(V)：
650
Trr(ns)：
60
Tj：
-55℃-150℃
Package Outline：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
君宇国际实业有限公司	STU16N60M2	ST	1524+	IPAK	10000	原装正品	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	STU60N3LH5	ST		TO-251	3166	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
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