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STU458S

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.61171 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

STU45N01

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:862.11 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

STU45N10

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:134.73 Kbytes 页数:10 Pages

SAMHOP

三合微科

STU4A60

Bi-Directional Triode Thyristor

文件:358.07 Kbytes 页数:5 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

STU4A60H

Bi-Directional Triode Thyristor

文件:278.18 Kbytes 页数:5 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

STU4A60S

Sensitive Gate Triac

文件:483.57 Kbytes 页数:5 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

STU4N52K3

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:977.19 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STU4N62K3

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:977.19 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STU5N52K3

N-channel 525 V, 1.2 廓, 4.4 A SuperMESH3??Power MOSFET D짼PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

文件:1.19927 Mbytes 页数:23 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

STU5N60M2

Extremely low gate charge

文件:1.0681 Mbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • VRRM(V):

    700

  • IFSM:

    8

  • VF(V):

    1.5

  • VF_IF(A):

    1

  • IR(uA):

    0.2

  • IR_VR(V):

    650

  • Trr(ns):

    60

  • Tj:

    -55℃-150℃

  • Package Outline:

    SOT-23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STU供应商 更新时间2026-1-18 11:03:00