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STU413S	文件：251.22 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SufaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU419S	文件：379.7 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Logic Level EnhancementMode Field E ffect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProcteced	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU420S	文件：940.84 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU421S	文件：498.47 Kbytes Page：8 Pages	P -Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU426S	文件：175.07 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU428S	文件：196.04 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU432S	文件：897.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU432S	文件：713.12 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package Descriptions N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage. Features SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON),Ruggedandreliable. Applications ThesedevicesarewellsuitedforhighefficiencyswitchingDC/DCconvertersandswitchmodepowersupplies.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
STU434S	文件：235.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU437S	文件：121.96 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SufaceMountPackage.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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技术参数

Package：
IPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
600
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.6
Drain Current (Dc)_max(A)：
7.5
PTOT_max(W)：
85
Qg_typ(nC)：
13.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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