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STP2N105K5中文资料N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书
STP2N105K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
:STP2N105K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:1050
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:8
- Drain Current (Dc)_max(A)
:1.5
- PTOT_max(W)
:60
- Qg_typ(nC)
:10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4250 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST原装 |
25+23+ |
TO-220 |
23344 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
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询价 | ||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-220-3 |
7600 |
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询价 |


