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STP20NE06	文件：104.96 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP20NE06FP	文件：104.96 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP20NE06LFP	文件：104.15 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP20NE06L	文件：1.28363 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P20NE06L	文件：1.31336 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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STB20NE06L	文件：84.31 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL60V-0.06ohm-20ATO-263STripFET]POWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisunique”SingleFeatureSize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD20NE06	文件：96.13 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE??SINGLEFEATURESIZE??POWERMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkablema	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP20NE06
功能描述：
MOSFET RO 511-STP36NF06
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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