isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 2.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：372.19 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220

文件：1.67338 Mbytes 页数：21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道80 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的 RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

TO-220

ST

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TO-220AB

ST

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