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STP25N06	文件：371.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP25N06	文件：155.08 Kbytes Page：3 Pages	N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.048 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICA 文件：155.08 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
STP25N06	文件：207.3 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.048 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICA 文件：207.3 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP25N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
STP25N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220	NJS 新泽西半导体	NJS
STP25N06FI	文件：207.3 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.048 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICA 文件：207.3 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP25N06FI	文件：371.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP25N06FI	文件：155.08 Kbytes Page：3 Pages	N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.048 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICA 文件：155.08 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
90000mW
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
60V
Maximum Continuous Drain Current：
25A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STP25N06供应商更新时间2026-4-18 15:36:00

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