首页>STL6P3LLH6>规格书详情
STL6P3LLH6数据手册ST中文资料规格书
STL6P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL6P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.05
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.03
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-6
- PTOT_max(W)
：2.9
- Qg_typ(nC)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
SYFOREVER |
25+ |
PowerFLAT3.3x3.3 |
20300 |
SYFOREVER原装特价STL6P3LLH6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN3*3 |
505076 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
7848 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法 |
新年份 |
DFN3*3 |
23256 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 |
