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STL6P3LLH6中文资料P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装数据手册ST规格书
STL6P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL6P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.05
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.03
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-6
- PTOT_max(W)
：2.9
- Qg_typ(nC)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
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ST(意法) |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
15000 |
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ST/意法 |
新年份 |
DFN3*3 |
23256 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
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ST |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ST(意法) |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
7848 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
PowerFLAT-8(3 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
