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STL6N3LLH6中文资料N沟道30 V、0.021 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL6N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 2x2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.04
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.025
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- PTOT_max(W)
：2.4
- Qg_typ(nC)
：3.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
6-PowerWDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
7600 |
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询价 | ||
ST |
14+ |
QFN |
260 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2020 |
986966 |
国产 |
询价 |
