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STL6P3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装 This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STL6P3LLH6	文件：578.62 Kbytes Page：15 Pages	Very low on-resistance 文件：578.62 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS6P3LLH6	文件：718.03 Kbytes Page：15 Pages	High avalanche ruggedness 文件：718.03 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL7N60M2	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST PowerFLAT-5x5-12	ST 上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	ST
STL90N10F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 DFN5X6	ST/意法上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	ST/意法

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市汇莱威科技有限公司	STL6P3LLH6	ST/意法	24+	DFN3*3	505076	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	STL6P3LLH6	ST(意法)	24+	PowerFLAT-3.3x3.3-8	7848	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	STL6P3LLH6	NK/南科功率	2025+	DFN5X6	3150	国产南科平替供应大量	询价
深圳市鹏和科技有限公司	STL6P3LLH6	STM有96K	24+	DFN3.33.3	5000	只做原装公司现货	询价
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更多STL6P3LLH6供应商更新时间2025-10-4 14:14:00