STL325N4LF8AG中文资料Automotive N-Channel enhancement mode logic level 40 V, 0.75 mOhm max., 373 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6数据手册ST规格书

描述 Description

此款N通道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。

产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。

特性 Features

• 符合AEC-Q101
• 175 °C工作温度
• 具有可湿性侧面的封装

简介

STL325N4LF8AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ST制造生产的STL325N4LF8AG晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。