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STL13DP10F6中文资料Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is a dual P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 制造商编号
：STL13DP10F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.18
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-3.3
- PTOT_max(W)
：4
- Qg_typ(nC)
：16.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ST/意法 |
25+ |
DFN |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST |
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原厂封装 |
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ST/意法 |
25+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
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ST |
22+ |
PowerFlat? (5x6) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
