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STL120N4F6AG中文资料汽车级N沟道40 V、2.9 mOhm典型值、55 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL120N4F6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0036
- Drain Current (Dc)_max(A)
：55
- PTOT_max(W)
：96
- Qg_typ(nC)
：63
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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