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STI24NM65N规格书详情
描述 Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
100% avalanche tested
Low gate input resistance
Low input capacitance and gate charge
技术参数
- 型号：
STI24NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 650V-0.16ohms 19A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST全系列 |
25+23+ |
TO-262 |
26641 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2406+ |
11260 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-262 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
17+ |
I2PAK |
6200 |
询价 | |||
ST |
18+ |
TO-262 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
22+ |
I2PAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST |
12+ |
TO-262 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
