首页>STI18N65M2>规格书详情
STI18N65M2中文资料N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STI18N65M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STI18N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.33
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：20
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO262 |
32360 |
ST/意法全新特价STI18N65M2即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
TO262 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
TO262 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-262-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
I2PAK |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
