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STI18N60M2中文资料N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STI18N60M2 |
| 参数属性 | STI18N60M2 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | STI18N60M2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STI18N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devicesexhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering themProduct status link suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
简介
STI18N60M2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STI18N60M2晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STI18N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.28
- Drain Current (Dc)_max(A)
：13
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：21.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
I2PAK |
7350 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-262 |
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ST |
15+ |
TO-262 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
TO262 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-262 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
