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STI24N60M2中文资料N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET,I2PAK封装数据手册ST规格书
STI24N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Lower RDS(on)x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
:STI24N60M2
- 生产厂家
:ST
- Package
:I2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.19
- Drain Current (Dc)_max(A)
:18
- PTOT_max(W)
:150
- Qg_typ(nC)
:29
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
330 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
1712+ |
TO262 |
80 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
I2PAK |
3000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
8540 |
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询价 |