首页>STI24N60M2>规格书详情
STI24N60M2数据手册ST中文资料规格书
STI24N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Lower RDS(on)x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
:STI24N60M2
- 生产厂家
:ST
- Package
:I2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.19
- Drain Current (Dc)_max(A)
:18
- PTOT_max(W)
:150
- Qg_typ(nC)
:29
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
330 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
I2PAK |
5000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
I2PAK |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
16900 |
公司只做原装,可来电咨询 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |