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STGF15H60DF中文资料600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT数据手册ST规格书

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厂商型号

STGF15H60DF

参数属性

STGF15H60DF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 30A 30W TO220FP

功能描述

600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
IGBT 600V 30A 30W TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:42:00

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STGF15H60DF规格书详情

描述 Description

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

特性 Features

• High speed switching
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode

简介

STGF15H60DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGF15H60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGF15H60DF

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :30

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :15

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :30

  • IF_max(@ Tc=100°C)(A)

    :15

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :30

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.6

  • VF_typ(V)

    :1.8

  • Qg_typ(nC)

    :81

  • Eon_typ(mJ)

    :0.14

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.21

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