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STGF15H60DF中文资料600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT数据手册ST规格书

厂商型号 |
STGF15H60DF |
参数属性 | STGF15H60DF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 30A 30W TO220FP |
功能描述 | 600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 12:42:00 |
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STGF15H60DF规格书详情
描述 Description
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• High speed switching
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
简介
STGF15H60DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGF15H60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:STGF15H60DF
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220FP
- Grade
:Industrial
- VCES_max(V)
:600
- PTOT_max(W)
:30
- Freewheeling diode
:true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
:15
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
:30
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
:15
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
:30
- VCE(sat)_typ(V)
:1.6
- VF_typ(V)
:1.8
- Qg_typ(nC)
:81
- Eon_typ(mJ)
:0.14
- Eoff_typ(mJ)
:0.21
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2450+ |
TO-220F |
9485 |
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ST |
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询价 | ||
ST |
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TO-220FP |
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ST |
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TO-220F |
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ST/意法 |
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