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STGD7NB60ST4中文资料7 A, 600 V, low drop IGBT数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STGD7NB60ST4 |
| 参数属性 | STGD7NB60ST4 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 15A 55W DPAK |
| 功能描述 | 7 A, 600 V, low drop IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 17:10:00 |
| 人工找货 | STGD7NB60ST4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGD7NB60ST4规格书详情
描述 Description
This IGBT uses the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).
特性 Features
• Lower on-voltage drop (VCE(sat))
• High current capability
简介
STGD7NB60ST4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGD7NB60ST4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGD7NB60ST4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，7A
- 开关能量：
3.5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
700ns/-
- 测试条件：
480V，7A，1 千欧，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 15A 55W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO252DPAK |
8866 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
