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详细参数

  • 型号：

    STD616AT4

  • 功能描述：

    两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO：

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT：

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安装风格：

    SMD/SMT

  • 封装/箱体：

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市一线半导体有限公司
STD616AT4
ST
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TO252DPAK
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ST/意法
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TO-252
100000
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更多STD616AT4供应商 更新时间2026-3-10 15:30:00

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