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STB5NK52ZD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=520V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:285.25 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STB5NK52ZD-1

N-channel 520V - 1.22廓 - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:396.17 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB5NK52ZD-1

丝印:B5NK52ZD;Package:I2PAK;N-channel 520 V,1.22 廓,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD5NK52ZD

N-channel 520V - 1.22廓 - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

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意法半导体

STD5NK52ZD

N-channel 520 V,1.22 廓,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:777.75 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF5NK52ZD

N-channel 520 V,1.22 廓,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET

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意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STB5NK52ZD

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 520V 1.22 Ohm 4.4A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STB5NK52ZD供应商 更新时间2025-10-5 15:30:00