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STB3NB60中文资料N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

STB3NB60

功能描述

N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:47:00

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技术参数

  • 型号:

    STB3NB60

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO-263
8795
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ST
25+
SOT-263
18000
原厂直接发货进口原装
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24+
1500
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SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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ST
23+
SOP
5000
原装正品,假一罚十
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ST
25+
TO-263
9000
只做原装进口!正品支持实单!
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ST/意法
23+
SOT263
8000
只做原装现货
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ST
05+
TO-263
8000
原装进口
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TO-263
9000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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