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STB36NM60N中文资料汽车级N沟道600 V、0.093 Ohm典型值、29 A MDmesh II功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB36NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB36NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.105
- Drain Current (Dc)_max(A)
：29
- PTOT_max(W)
：210
- Qg_typ(nC)
：83.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
TO263 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
TO263 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO263 |
32360 |
ST/意法全新特价STB36NM60N即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 |
