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STB25N80K5中文资料N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STB25N80K5

功能描述

N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-5 16:38:00

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STB25N80K5规格书详情

描述 Description

这款超高压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

特性 Features

• 业界领先的低 RDS(on)x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

技术参数

  • 制造商编号

    :STB25N80K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :D2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :800

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.26

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :14

  • PTOT_max(W)

    :250

  • Qg_typ(nC)

    :40

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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