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STB21NM60N中文资料N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET数据手册ST规格书
技术参数
- 型号:
STB21NM60N
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
10 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
8795 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
504141 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO262 |
24217 |
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ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
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ST |
20+ |
TO-262 |
38560 |
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ST/ |
24+ |
TO-262 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST |
17+ |
I2PAK |
6200 |
询价 | |||
ST |
23+ |
D2-PAK |
8560 |
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