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STB21N65M5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
特性 Features
• Worldwide best RDS(on) * area
• Higher VDSS rating
• High dv/dt capability
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STB21N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.179
- Drain Current (Dc)_max(A)
：17
- PTOT_max(W)
：125
- Qg_typ(nC)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法 |
14+ |
TO-263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
TO-263 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 |
