STB20NM50中文资料N沟道500 V、0.20 Ohm典型值、20 A MDmesh(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB20NM50规格书详情
描述 Description
The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics and dynamic performances.
特性 Features
• High dv/dt and avalanche capabilities
• Low input capacitance and gate charge
• 100% avalanche tested
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB20NM50
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.25
- Drain Current (Dc)_max(A)
：20
- PTOT_max(W)
：192
- Qg_typ(nC)
：40
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：435
- Peak Reverse Current_nom(A)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
75 |
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ST(意法半导体) |
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ST/意法 |
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SOT-263 |
100000 |
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ST |
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TO-263 |
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ST |
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TO-263 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
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TO-263 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
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