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STB21NM60ND中文资料N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in D2PAK package数据手册ST规格书
STB21NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Intrinsic fast-recovery body diode
Worldwide best R
DS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STB21NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4150 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
54815 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
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ST/意法 |
21+ |
NA |
7000 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
504140 |
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询价 | ||
STM |
23+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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ST/意法 |
21+ |
NA |
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ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
400 |
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ST |
23+ |
D2-PAK |
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