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STB24N60M2中文资料N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB24N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Lower RDS(on)x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB24N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.19
- Drain Current (Dc)_max(A)
：18
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
19048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
19587 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263-3 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
