首页>STB22NM60N>规格书详情
STB22NM60N数据手册ST中文资料规格书
STB22NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB22NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.22
- Drain Current (Dc)_max(A)
：16
- PTOT_max(W)
：125
- Qg_typ(nC)
：44
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
216 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
4650 |
绝对原装公司现货 |
询价 | ||
STM |
12+ |
TO-263 |
196 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICSSEMI |
23+ |
NA |
844 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-263 |
28618 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
