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STB24N60DM2规格书详情
描述 Description
These FDmesh II Plus™ low QgPower MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Lower RDS(on)x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
• Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 制造商编号
：STB24N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：18
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：29
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：155
- Qrr_typ(nC)
：956
- Peak Reverse Current_nom(A)
：12.5
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