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STB24NM65N规格书详情
描述 Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
100% avalanche tested
Low gate input resistance
Low input capacitance and gate charge
技术参数
- 型号：
STB24NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO262 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
12+ |
TO-263 |
6220 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
STMICROEL |
23+ |
NA |
41486 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-263 |
19817 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST |
2018+ |
TO-263 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
