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STB23N80K5中文资料N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB23N80K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best figure of merit (FoM)
• Ultra low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB23N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.28
- Drain Current (Dc)_max(A)
：16
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：33
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