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STB200N4F3	文件：319.51 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 40V - 0.0035廓 - 120A - D2PAK - TO-220 planar STripFET??Power MOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“singlefeaturesize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearema	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP200N4F3	文件：319.51 Kbytes Page：14 Pages	N-channel40V-0.0035廓-120A-D2PAK-TO-220planarSTripFET??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“singlefeaturesize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearema	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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N-channel 40V - 0.0035廓 - 120A - D2PAK - TO-220 planar STripFET??Power MOSFET

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详细参数

型号：
STB200N4F3
功能描述：
MOSFET N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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