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ADM200N04	文件：1.48702 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N04seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
ADM200N04G	文件：1.48695 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
ADM200N04Q	文件：987.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N04QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)wit	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
DI200N04PQ	文件：625.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETN-KanalLeistungs-MOSFET Features Lowprofile,spacesavingpackage StandardLevelGateDriver Lowonstateresistance Fastswitchingtimes Lowgatecharge Avalancherated ComplianttoRoHS(exemp.7a) REACH,ConflictMinerals1)	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
FIR200N04PG	文件：4.132149 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FMG200N04Z	文件：865.75 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET Features SGTLVMOSFETtechnology ExcellentQg*Ronproduct(FOM) Extremelylowon-resistance(Ron) Application Batterymanagement Highcurrentswitching UPS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
HMS200N04D	文件：470.91 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMPC200N04	文件：1.92191 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

详细参数

型号：
STB200N04
功能描述：
MOSFET NCh 40V 0.0035U 120A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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