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SSM3K316T	文件：180.61 Kbytes Page：6 Pages	Fiwld Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications • 1.8-V drive • Low ON-resistance: Ron = 131 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 87 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 65 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 文件：180.61 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K316T	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K316T	文件：482.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：482.29 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3K316T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fiwld Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type	Toshiba 东芝	Toshiba

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