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SSM3K316T	文件：180.61 Kbytes Page：6 Pages	Fiwld Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type PowerManagementSwitchApplications High-SpeedSwitchingApplications •1.8-Vdrive •LowON-resistance:Ron=131mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=87mΩ(max)(@VGS=2.5V) Ron=65mΩ(max)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K316T	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K316T	文件：482.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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SSM3K316T

文件：180.61 Kbytes

Page：6 Pages

Fiwld Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

PowerManagementSwitchApplications High-SpeedSwitchingApplications •1.8-Vdrive •LowON-resistance:Ron=131mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=87mΩ(max)(@VGS=2.5V) Ron=65mΩ(max)(@VGS=4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SSM3K316T

文件：1.58274 Mbytes

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SSM3K316T

文件：482.29 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SSM3K316T
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Fiwld Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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