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SSM3K36FS

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

○High-SpeedSwitchingApplications •1.5-Vdrive •LowON-resistance:Ron=1.52Ω(max)(@VGS=1.5V) :Ron=1.14Ω(max)(@VGS=1.8V) :Ron=0.85Ω(max)(@VGS=2.5V) :Ron=0.66

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

SMC3K36CA

SurfaceMountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors

FEATURES •Availableinbidirectionalpolarityonly •3000Wpeakpulsepowercapabilitywitha (10/1000μs)waveform •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •Notrecommende

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SMC3K36CA

SurfaceMountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SSM3K36MFV

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

SSM3K36TU

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType

○High-SpeedSwitchingApplications •1.5-Vdrive •LowON-resistance:Ron=1.52Ω(max)(@VGS=1.5V) :Ron=1.14Ω(max)(@VGS=1.8V) :Ron=0.85Ω(max)(@VGS=2.5V) :Ron=0.66Ω(m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

详细参数

  • 型号:

    SSM3K36FS

  • 功能描述:

    MOSFET 20V VDS 10V VGSS 500mA ID 150mW PD

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
24+
SSM
45000
热卖优势现货
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TOSHIBA/东芝
2019+PB
SSM
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原装正品 可含税交易
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TOSHIBA/东芝
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9000
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更多SSM3K36FS供应商 更新时间2025-5-27 17:09:00